Infineon gewinnt Patentstreit um Galliumnitrid-Technologie gegen Innoscience
Pierre Baum
Infineon gewinnt Patentstreit um Galliumnitrid-Technologie gegen Innoscience
Das Landgericht München hat in zwei Patentverletzungsverfahren zugunsten von Infineon Technologies entschieden. Streitgegenstand war die unberechtigte Nutzung von Galliumnitrid-Technologien (GaN) durch das chinesische Unternehmen Innoscience. Auch die US-Handelskommission (U.S. International Trade Commission) hatte Innoscience zuvor in einem ähnlichen Fall der Verletzung eines Infineon-Patents für schuldig befunden.
GaN-Technologie ist entscheidend für hochleistungsfähige und energieeffiziente Stromsysteme in zahlreichen Branchen. Das Gericht untersagte Innoscience die Herstellung, den Verkauf und die Vermarktung der patentverletzenden GaN-Produkte in Deutschland. Zudem muss das Unternehmen Infineon Schadensersatz für die Verstöße zahlen.
Infineon verfügt über das umfangreichste GaN-Patentportfolio der Branche mit rund 450 Patentfamilien. Johannes Schoiswohl, Senior Vice President und Leiter der GaN-Systems-Geschäftseinheit bei Infineon, betonte, das Urteil unterstreiche die Stärke des Unternehmens im GaN-Bereich. Gleichzeitig bekräftigte er Infineons Engagement für den Schutz des geistigen Eigentums.
Cashback bei deinen
Lieblingsrestaurants und Services
Kaufe Gutscheine und spare in deinen Lieblingsorten in deiner Nähe
Die Entscheidung stellt die dritte und vierte juristische Niederlage für Innoscience in Fällen dar, die die Verletzung von Infineon-Patenten betreffen. Das Urteil festigt Infineons Position im GaN-Technologiesektor. Innoscience muss nun die Produktion und den Verkauf der umstrittenen Produkte in Deutschland einstellen und Infineon für die Patentverletzungen entschädigen.
